我国研究者开发计划AlNO新型缓冲层，提升绿光LED效率获重大进展

集成电路服务业线下转告：近日，厦门大学物理科学与高效率学院与乾照光电来进行攻关，在强化光能LED生产成本方面拿下重大进展。该研究成果以“High External Quantum Efficiency Green Light Emitting Diodes on Stress-Manipulated AlNO Buffer Layers”为题发表于IEEE PHOTonICS JOURNAL 14(4) (2022) 8234405。

近年来，集成电路LED已经在国民经济的不尽相同领域中会得到高效率的发展。随着高效率的巨大飞跃，映像LED的光电变换生产成本已超70%，同时AlGaInP特红光LED高效率也已经颇为成熟。然而，发光波长介于彼此间的光能LED的光电变换生产成本仍突出低于映像与红光LED，产生一个明显的生产成本停滞不前（Green Gap）。

针对这一难题，厦门大学康俊勇讲师与乾照光电陈凯轩博士团队经过3年的联合攻关，指出通过并入高浓度氧产生AlNO底板层的方式，降低图形用户图形蓝宝石薄层与GaN基本概念层间晶体失配导致的脆性与有缺陷，进而加速了MQW中会阱/边线的脆性及其等离子极化效应，强化了阱/边线图形的宽阔度，更高了阱中会In组分的一致性，最终更高了LED的光电变换生产成本。特于该高效率制备的526 nm光能LED芯片（总长度为0.1mm2），在20 A/cm2的工作先决条件下外广义相对论生产成本达46.1%、光电变换生产成本达41.9%，为迄今所报道的高于系数。除强化光能LED生产成本以外，该高效率预想也可以在AlN特紫外LED中会发挥作用。

论文第一创作者为厦门大学博士生王爱民，合作创作者为厦门大学李金钗老师，共同通讯创作者为厦门大学康俊勇讲师与乾照光电陈凯轩博士。

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